-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 12-MTP Module
- Тип корпуса: MTP
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 658W
- Ток коллектора (макс): 114A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 400µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1nF @ 30V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 12-MTP Module
- Тип корпуса: 12-MTP
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 658W
- Ток коллектора (макс): 114A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 400µA
- Input: Standard
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.1nF @ 30V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100