• Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • BSM75GAL120DN2HOSA1
    IGBT MOD 1200V 105A 625W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single Switch
    • Мощность - Макс.: 625W
    • Ток коллектора (макс): 105A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1.4mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100