Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) I_C(MAX) 10A P_max 55W

• Производитель: STMicroelectronics
• Серия: PowerMESH™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: DPAK
• Мощность - Макс.: 55W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
• Switching Energy: 3.2µJ (on), 15mJ (off)
• Gate Charge: 29nC
• Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-

• Производитель: STMicroelectronics
• Серия: PowerMESH™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• Тип корпуса: TO-251 (IPAK)
• Мощность - Макс.: 55W
• Input Type: Standard
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
• Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
• Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
• Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
• Switching Energy: 15mJ (off)
• Gate Charge: 29nC
• Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-