Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 118A Pmax 543W

Найдено: 3
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: