Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 112A Pmax 543W

Найдено: 4
  • IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Ток коллектора (макс): 112A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1.1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Ток коллектора (макс): 112A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Ток коллектора (макс): 112A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1.1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Ток коллектора (макс): 112A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: