Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 11A Pmax 50W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • MUBW10-06A6K
    IGBT MODULE 600V 11A 50W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 65µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 220 pF @ 25 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100