Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 110A Pmax 446W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • APT50GT60BRDQ2G
    IGBT 600V 110A 446W TO247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Время обратного восстановления (trr): 22ns
    • Мощность - Макс.: 446W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50GT60BRG
    IGBT 600V 110A 446W TO247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Мощность - Макс.: 446W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50GT60BRDQ2G
    IGBT 600V 110A 446W TO247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Время обратного восстановления (trr): 22ns
    • Мощность - Макс.: 446W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50GT60BRG
    IGBT 600V 110A 446W TO247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Мощность - Макс.: 446W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100