Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 110A Pmax 385W

Найдено: 12
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Boost Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Buck Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Boost Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Buck Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: