Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 110A Pmax 375W

Найдено: 5
  • PM-IGBT-SBD-BL2
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL2
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL2
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: