Найдено: 5
-
PM-IGBT-SBD-BL2
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Full Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
PM-IGBT-SBD-BL2
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
PM-IGBT-SBD-BL1
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
PM-IGBT-SBD-BL1
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
PM-IGBT-SBD-BL2
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Конфигурация: Full Bridge
- Мощность - Макс.: 375W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 25µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: