• Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
APT50GN60BDQ2G IGBT 600V 107A 366W TO247 Microchip Technology TO-247-3 107A 600V 366W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247 [B] Standard Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 150A 1185µJ (on), 1565µJ (off) 325nC 20ns/230ns
APT50GN60BG IGBT 600V 107A 366W TO247 Microchip Technology TO-247-3 107A 600V 366W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247 [B] Standard Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 150A 1185µJ (on), 1565µJ (off) 325nC 20ns/230ns
APT50GN60BDQ3G IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO Microchip Technology TO-247-3 107A 600V 366W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 150A 35ns 1.185mJ (on), 1.565mJ (off) 325nC 20ns/230ns
APT50GN60BDQ2G IGBT 600V 107A 366W TO247 Microsemi Corporation TO-247-3 107A 600V 366W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247 [B] Standard Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 150A 1185µJ (on), 1565µJ (off) 325nC 20ns/230ns
APT50GN60BG IGBT 600V 107A 366W TO247 Microsemi Corporation TO-247-3 107A 600V 366W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247 [B] Standard Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 50A 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 150A 1185µJ (on), 1565µJ (off) 325nC 20ns/230ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100