Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 115A Pmax 357W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • STGW75H65DFB2-4
    TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: HB2
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4
    • Время обратного восстановления (trr): 88ns
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 115A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 992µJ (on), 766µJ (off)
    • Gate Charge: 207 nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/121ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGWA75H65DFB2
    TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: HB2
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 Long Leads
    • Время обратного восстановления (trr): 88ns
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 115A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
    • Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
    • Gate Charge: 207 nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100