Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 11A Pmax 33W

Найдено: 2
  • IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220AB Full-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 73ns
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 64µJ (on), 123µJ (off)
    • Gate Charge: 13nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/73ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 11A 33W TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: