Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 100A Pmax 329W

Найдено: 4
  • IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 329W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 329W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 525µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 329W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 525µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 329W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: