Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 1200A Pmax 2000W
-
- Тип корпуса
- Input Type
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 2000W
- Ток коллектора (макс): 1200A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Обратный ток коллектора: 600µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 2000W
- Ток коллектора (макс): 1200A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Обратный ток коллектора: 600µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100