Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 1200A Pmax 2000W

Найдено: 2
  • IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 2000W
    • Ток коллектора (макс): 1200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 600µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 2000W
    • Ток коллектора (макс): 1200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 600µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: