• Мощность - Макс.
  • Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
Найдено: 31
  • IGBT MOD 1200V 150A 1150W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 150A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15nF @ 10V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 325A 1150W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 325A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX4™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: PLUS247™-3
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 370A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 1000A
    • Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
    • Gate Charge: 553nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 650V 450A 1150W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™ 3
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 450A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 370A 1150W TO264
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX4™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 (IXXK)
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 370A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 1000A
    • Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
    • Gate Charge: 553nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: PLUS247™-3
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 188A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 490A
    • Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
    • Gate Charge: 270nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 150A 1150W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 150A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15nF @ 10V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT GENX4 1200V 85A TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
    • Время обратного восстановления (trr): 40ns
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
    • Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Dual, Common Source
    • Мощность - Макс.: 1150W
    • Ток коллектора (макс): 430A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: