• Мощность - Макс.
  • Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 18
  • FS150R17KE3G
    IGBT MODULE
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoPACK™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 240A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT200DA120D3G
    IGBT MODULE 1200V 300A 1050W D3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: D-3 Module
    • Тип корпуса: D3
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 6mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FD200R12KE3HOSA1
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: C
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single Chopper
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF200R12KE3B2HOSA1
    IGBT MOD 1200V 295A 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 295A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT200SK120D3G
    IGBT MODULE 1200V 300A 1050W D3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: D-3 Module
    • Тип корпуса: D3
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 6mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF200R12KE3HOSA1
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF150R17ME3GBOSA1
    IGBT MOD 1700V 240A 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™ 3
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 240A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF200R12KT3HOSA1
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: C
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF200R12KT3EHOSA1
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: C
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MG12200D-BN2MM
    IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: D3
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 290A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 200A (Typ)
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF200R12MT4BOMA1
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™ 2
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FD16001200R17HP4KB2BOSA1
    IGBT MOD 1700V 1600A 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: IHM-B
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Dual Brake Chopper
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 1600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 130nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS150R17KE3GBOSA1
    IGBT MOD 1700V 240A 1050W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoPACK™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 240A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MG12225WB-BN2MM
    IGBT MODULE 1200V 325A 1050W WB
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: WB
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 325A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 225A (Typ)
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT200DA120D3G
    IGBT MODULE 1200V 300A 1050W D3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: D-3 Module
    • Тип корпуса: D3
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 1050W
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 6mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100