Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pmax 100W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 190

IRG4PC30FPBF

FAST SPEED IGBT

International Rectifier
- Производитель: International Rectifier
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AC
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 31A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
- Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off)
- Gate Charge: 77nC
- Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG4BC30S

IGBT 600V 34A 100W TO220AB

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 34A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 68A
- Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
- Gate Charge: 50nC
- Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXGP12N100AU1

IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Время обратного восстановления (trr): 60ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 24A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
- Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 48A
- Switching Energy: 4mJ (off)
- Gate Charge: 65nC
- Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HGTH20N40C1

20A, 400V, N-CHANNEL IGBT

Harris Corporation
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218 Isolated
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 20A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 35A
- Gate Charge: 33nC
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NTE3310

IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 415A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 15A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
- Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXGP10N60A

IGBT 600V 20A 100W TO220AB

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 20A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 10A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG4PH30K

IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AC
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 20A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 10A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
- Switching Energy: 640µJ (on), 920µJ (off)
- Gate Charge: 53nC
- Td (on/off) @ 25°C: 28ns/200ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SGW23N60UFDTM

N-CHANNEL IGBT

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK (TO-263)
- Время обратного восстановления (trr): 60ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 23A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 92A
- Switching Energy: 115µJ (on), 135µJ (off)
- Gate Charge: 49nC
- Td (on/off) @ 25°C: 17ns/60ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXGH12N120A3

IGBT 1200V 22A 100W TO247

IXYS
- Производитель: IXYS
- Серия: GenX3™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AD
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 22A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
- Gate Charge: 20.4nC
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRGS4715DPBF

IGBT 650V D2-PAK

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Время обратного восстановления (trr): 86ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 21A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 8A, 50Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
- Switching Energy: 200µJ (on), 90µJ (off)
- Gate Charge: 30nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/100ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IKU06N60R

IGBT, 12A, 600V, N-CHANNEL

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: TrenchStop™
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PG-TO251-3
- Время обратного восстановления (trr): 68ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
- Switching Energy: 330µJ
- Gate Charge: 48nC
- Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IXGH10N100U1

IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

IXYS
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AD
- Время обратного восстановления (trr): 60ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 20A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
- Test Condition: 800V, 10A, 150Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
- Switching Energy: 2mJ (off)
- Gate Charge: 52nC
- Td (on/off) @ 25°C: 100ns/550ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG4BC30F

IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 31A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
- Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off)
- Gate Charge: 51nC
- Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRG4PC30SPBF

IRG4PC30 - TRANS IGBT CHIP N-CH

International Rectifier
- Производитель: International Rectifier
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AC
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 34A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 68A
- Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
- Gate Charge: 50nC
- Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRGB4715DPBF

IGBT WITH RECOVERY DIODE

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Время обратного восстановления (trr): 86ns
- Мощность - Макс.: 100W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 21A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
- Test Condition: 400V, 8A, 50Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
- Switching Energy: 200µJ (on), 90µJ (off)
- Gate Charge: 30nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/100ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: