• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
VII130-06P1 IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2 IXYS ECO-PAC2 121A 600V 379W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) ECO-PAC2 NPT 1.2mA 2.9V @ 15V, 130A 4.2nF @ 25V Standard Yes
VIO130-06P1 IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2 IXYS ECO-PAC2 121A 600V 379W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) ECO-PAC2 NPT 1.2mA 2.9V @ 15V, 130A 4.2nF @ 25V Standard No
VDI130-06P1 IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2 IXYS ECO-PAC2 121A 600V 379W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) ECO-PAC2 NPT 1.2mA 2.9V @ 15V, 130A 4.2nF @ 25V Standard Yes
VID130-06P1 IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2 IXYS ECO-PAC2 121A 600V 379W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) ECO-PAC2 NPT 1.2mA 2.9V @ 15V, 130A 4.2nF @ 25V Standard Yes
APT68GA60B IGBT 600V 121A 520W TO-247 Microchip Technology TO-247-3 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247 [B] Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 298nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 IGBT 600V 121A 520W TO-247 Microchip Technology TO-247-3 Variant 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
APT68GA60LD40 IGBT 600V 121A 520W TO-264 Microchip Technology TO-264-3, TO-264AA 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 [L] Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 22ns 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 IGBT 600V 121A 520W TO-247 Microsemi Corporation TO-247-3 Variant 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
APT68GA60LD40 IGBT 600V 121A 520W TO-264 Microsemi Corporation TO-264-3, TO-264AA 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 [L] Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 22ns 715µJ (on), 607µJ (off) 198nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
APT68GA60B IGBT 600V 121A 520W TO-247 Microsemi Corporation TO-247-3 121A 600V 520W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247 [B] Standard PT 2.5V @ 15V, 40A 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 202A 715µJ (on), 607µJ (off) 298nC 21ns/133ns POWER MOS 8™
VS-100MT060WDF IGBT MODULE 600V 121A 462W MTP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16-MTP Module 121A 600V 462W Chassis Mount 150°C (TJ) MTP 100µA 2.29V @ 15V, 60A 9.5nF @ 30V Standard Yes
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100