• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 47
  • SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 11A 58W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 11A 33W TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 33W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 11A, 600V, N CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220AB Full-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 70ns
    • Мощность - Макс.: 38W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off)
    • Gate Charge: 18.2nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 11A 63W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT NPT 600V 11A TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 11A 60W TO262
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 11A, 600V, N CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 93ns
    • Мощность - Макс.: 63W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGS4607 - DISCRETE IGBT WITH AN
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT WITH RECOVERY DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 11A TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 51ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 22A
    • Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off)
    • Gate Charge: 28nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 11A 58W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 11A 45W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 45W
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 20µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 435 pF @ 25 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: