• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 6
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D3Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 118A 455W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX4™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXXH)
    • Мощность - Макс.: 455W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 3.2mJ (on), 830µJ (off)
    • Gate Charge: 94nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/133ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 224A
    • Gate Charge: 203nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ECONO - 4 PACK IGBT
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 431W
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ECONO - 4 PACK IGBT
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 431W
    • Ток коллектора (макс): 118A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: