• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 94
  • IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 25PM-AA
    • Тип корпуса: 25PM-AA
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 66W
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 710 pF @ 30 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 25PM-AA
    • Тип корпуса: 25PM-AA
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 66W
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Single Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 710 pF @ 30 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 10A 81W TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Мощность - Макс.: 81W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 20Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 75µJ (on), 59µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 6ns/44ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL IGBT
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK (TO-263)
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 29ns/266ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 29ns/266ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 5A
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 29.4W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 5A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Switching Energy: 130µJ (on), 60µJ (off)
    • Gate Charge: 11nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/40ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 10A, 1500V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1.5V
    • Test Condition: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 190µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/30ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT NPT 600V 10A D2PAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Мощность - Макс.: 73.5W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 12.1nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 5.4ns/25.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 29ns/266ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 430V 10A 130W TO252AA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: