• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 94
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK (TO-263)
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 10A 50W TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 58µJ (off)
    • Gate Charge: 14nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/33ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 5A
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 29.4W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 5A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 5A
    • Switching Energy: 130µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 11nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/40ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 5A 650V TO252
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaIGBT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 52W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 90µJ (on), 60µJ (off)
    • Gate Charge: 8.8 nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 7ns/78ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 25Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 28ns/198ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 10A 75W DPAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 10A
    • Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
    • Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200MJ, D
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 610ns/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 5A TO263
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: Alpha IGBT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263 (D2Pak)
    • Время обратного восстановления (trr): 195ns
    • Мощность - Макс.: 83W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 14nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1700V 10A 140W TO268
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268AA
    • Мощность - Макс.: 140W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Test Condition: 850V, 10A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 380µJ (off)
    • Gate Charge: 29nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 46ns/190ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL IGBT
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 10A, 1500V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1500V
    • Test Condition: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 190µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/30ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 10A 60W TO220SM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-220SM
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Td (on/off) @ 25°C: 400ns/400ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 650V 5A TO220
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: Alpha IGBT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 195ns
    • Мощность - Макс.: 83W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 14nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: