• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
  • FDWS9508L-F085
    PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 214W (Tj)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STW69N65M5
    MOSFET N-CH 650V 58A TO-247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: MDmesh™ V
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 143nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6420pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 330W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT56M60B2
    MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 8™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOTF4126
    MOSFET N-CH 100V 6A TO220F
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SDMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220-3F
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PMV170UN,215
    MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDC697P_F077
    MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
    • Тип корпуса: SuperSOT™-6 FLMP
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3524pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7494TR
    MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 3SK318YB-TL-E
    TRANS N-CH CMPAK-4
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: CMPAK-4
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 3.5V
    • Коэффициент шума: 1.4dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTQD4154ZR2
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 8-TSSOP
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1485pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 1.52W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3457BDV-T1-GE3
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.14W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTD5862N-1G
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 115W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT130SM70B
    MOSFET N-CH 700V TO247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 700V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 556W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FQPF7N65C
    MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: QFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1245pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 52W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FQPF4N25
    MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: QFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 32W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6720S2TRPBF
    MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
    • Тип корпуса: DIRECTFET S1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.