• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
BLC9G20LS-470AVTZ RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 Ampleon USA Inc. DFM6 470W 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V SOT-1258-3 LDMOS (Dual), Common Source 15.7dB 28V 400mA
IPB80N04S403ATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 Infineon Technologies PG-TO263-3-2 Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 94W (Tc) 40V 80A (Tc) 3.3mOhm @ 80A, 10V 10V 4V @ 53µA 66nC @ 10V 5260pF @ 25V ±20V OptiMOS™
SPN02N60S5 MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 Infineon Technologies PG-SOT223-4 Surface Mount TO-261-4, TO-261AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.8W (Ta) 600V 400mA (Ta) 3Ohm @ 1.1A, 10V 10V 5.5V @ 80µA 7.4nC @ 10V 250pF @ 25V ±20V CoolMOS™
IRL1404ZSPBF MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 230W (Tc) 40V 75A (Tc) 3.1mOhm @ 75A, 10V 4.5V, 10V 2.7V @ 250µA 110nC @ 5V 5080pF @ 25V ±16V HEXFET®
IXTH12N100 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 IXYS TO-247 (IXTH) Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 1000V 12A (Tc) 1.05Ohm @ 6A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 170nC @ 10V 4000pF @ 25V ±20V MegaMOS™
VRF154FL MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Microchip Technology T2 600W 80MHz 170V 4mA T2 N-Channel 17dB 50V 800mA
JANTXV2N6760 MOSFET N-CH Microsemi Corporation TO-204AA (TO-3) Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 4W (Ta), 75W (Tc) 400V 5.5A (Tc) 1.22Ohm @ 5.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 39nC @ 10V ±20V Military, MIL-PRF-19500/542
PHP78NQ03LT,127 MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB NXP USA Inc. TO-220AB Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 93W (Tc) 25V 75A (Tc) 9mOhm @ 25A, 10V 5V, 10V 2V @ 1mA 13nC @ 5V 1074pF @ 25V ±20V TrenchMOS™
NDS355AN_G MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 onsemi SuperSOT-3 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 500mW (Ta) 30V 1.7A (Ta) 85mOhm @ 1.9A, 10V 4.5V, 10V 2V @ 250µA 5nC @ 5V 195pF @ 15V ±20V
NVGS4141NT1G MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP onsemi 6-TSOP Surface Mount SOT-23-6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 500mW (Ta) 30V 3.5A (Ta) 25mOhm @ 7A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 12nC @ 10V 560pF @ 24V ±20V
UPA503T-T1-A SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Renesas Electronics America Inc SC-59-5, Mini Mold 300mW Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2 P-Channel (Dual) 50V 100mA Standard 60Ohm @ 10mA, 10V 2.5V @ 1µA 17pF @ 5V
IPW65R190E6FKSA1 N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC PG-TO247-3 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 151W (Tc) 650V 20.2A (Tc) 190mOhm @ 7.3A, 10V 10V 3.5V @ 730µA 73nC @ 10V 1.62pF @ 100V ±20V CoolMOS™
SI4634DY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC Vishay Siliconix 8-SO Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 30V 24.5A (Tc) 5.2mOhm @ 15A, 10V 4.5V, 10V 2.6V @ 250µA 68nC @ 10V 3150pF @ 15V ±20V TrenchFET®
IRF9640STRRPBF MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Vishay Siliconix D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 125W (Tc) 200V 11A (Tc) 500mOhm @ 6.6A, 10V 10V 4V @ 250µA 44nC @ 10V 1200pF @ 25V ±20V
IRFD214 MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP Vishay Siliconix 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Through Hole 4-DIP (0.300", 7.62mm) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1W (Ta) 250V 450mA (Ta) 2Ohm @ 270mA, 10V 10V 4V @ 250µA 8.2nC @ 10V 140pF @ 25V ±20V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.