• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
AO7800 MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SC-70-6 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 20V 900mA Logic Level Gate 300mOhm @ 900mA, 4.5V 900mV @ 250µA 1.9nC @ 4.5V 120pF @ 10V
DMTH8012LK3Q-13 MOSFET NCH 80V 50A TO252 Diodes Incorporated TO-252, (D-Pak) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.6W (Ta) 80V 50A (Tc) 16mOhm @ 12A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 46.8nC @ 10V 2051pF @ 40V ±20V Automotive, AEC-Q101
ZXMN10A25GTA MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Diodes Incorporated SOT-223 Surface Mount TO-261-4, TO-261AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2W (Ta) 100V 2.9A (Ta) 125mOhm @ 2.9A, 10V 10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V 859pF @ 50V ±20V
DMN3013LFG-13 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Diodes Incorporated PowerDI3333-8 (Type D) 2.16W (Ta) Surface Mount 8-PowerLDFN -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 9.5A (Ta), 15A (Tc) Standard 14.3mOhm @ 4A, 8V 1.2V @ 250µA 5.7nC @ 4.5V 600pF @ 15V
ZVP1320ASTOA MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 Diodes Incorporated E-Line (TO-92 compatible) Through Hole E-Line-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 625mW (Ta) 200V 70mA (Ta) 80Ohm @ 50mA, 10V 10V 3.5V @ 1mA 50pF @ 25V ±20V
PTFA190451FV4R250XTMA1 IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Infineon Technologies H-37265-2 11W 1.96GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 17.5dB 28V 450mA
IRF3805PBF MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Infineon Technologies TO-220AB Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 55V 75A (Tc) 3.3mOhm @ 75A, 10V 10V 4V @ 250µA 290nC @ 10V 7960pF @ 25V ±20V HEXFET®
PHP225,118-NXP SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI NXP USA Inc.
SMP3003-DL-1EX MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD onsemi
FQNL1N50BBU N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-92-3 Through Hole TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.5W (Tc) 500V 270mA (Tc) 9Ohm @ 135mA, 10V 10V 3.7V @ 250µA 5.5nC @ 10V 150pF @ 25V ±30V QFET®
SP8K33TB1 MOSFET 2N-CH 60V 8SOP Rohm Semiconductor
STB40N20 MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK STMicroelectronics D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 160W (Tc) 200V 40A (Tc) 45mOhm @ 20A, 10V 10V 4V @ 250µA 75nC @ 10V 2500pF @ 25V ±20V STripFET™
STL100N6LF6 MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 STMicroelectronics PowerFlat™ (5x6) Surface Mount 8-PowerVDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 4.8W (Tc) 60V 100A (Tc) 4.5mOhm @ 11A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 130nC @ 10V 8900pF @ 25V ±20V DeepGATE™, STripFET™ VI
SI7164DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix PowerPAK® SO-8 Surface Mount PowerPAK® SO-8 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 6.25W (Ta), 104W (Tc) 60V 60A (Tc) 6.25mOhm @ 10A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 75nC @ 10V 2830pF @ 30V ±20V TrenchFET®
IRLI540GPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP Vishay Siliconix TO-220-3 Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 48W (Tc) 100V 17A (Tc) 77mOhm @ 10A, 5V 4V, 5V 2V @ 250µA 64nC @ 5V 2200pF @ 25V ±10V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.