-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S21060NBR1 | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | NXP USA Inc. | TO-272 WB-4 | 14W | 2.12GHz | 68V | TO-272BB | LDMOS | 15.5dB | 28V | 610mA |
| MRF6S21060MBR1 | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | NXP USA Inc. | TO-272 WB-4 | 14W | 2.12GHz | 68V | TO-272-4 | LDMOS | 15.5dB | 28V | 610mA |
- 10
- 15
- 50
- 100