• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6V2010NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 220MHz 110V TO-272BC LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF6S9045MBR1 FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 880MHz 68V TO-272-2 LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF6V2010NBR5 FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 220MHz 110V TO-272BC LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF6S9045NBR1 FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 880MHz 68V TO-272BC LDMOS 22.7dB 28V 350mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100