• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S9045NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MMRF1004NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MMRF1012NR1 FET RF 120V 220MHZ NXP USA Inc. TO-270-2 10W 220MHz 120V TO-270-2 LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF6S9045NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRFE6S9045NR1 FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 66V TO-270AA LDMOS 22.1dB 28V 350mA
MMRF1015NR1 FET RF 68V 960MHZ TO270 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270-2 LDMOS 18dB 28V 125mA
MW6S010MR1 FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270-2 LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF6V2010NR1 FET RF 110V 220MHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 220MHz 110V TO-270AA LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MW6S010NR1 FET RF 68V 960MHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270AA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF6S9045MR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270-2 LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF6S20010NR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100