• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLF2425M9LS140U TRANS RF 140W LDMOST Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.4GHz ~ 2.5GHz 65V 4.2µA SOT-502B LDMOS 19dB 28V 60mA
BLF2425M7LS140,112 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.45GHz 65V SOT-502B LDMOS 18.5dB 28V 1.3A
BLF7G24LS-140 RF FET LDMOS 140W SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 5µA SOT-502B LDMOS 18.5dB 28V 1.3A
BLF2425M8LS140U RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.45GHz 65V SOT-502B LDMOS 19dB 28V 1.3A
BLF2425M8LS140J RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.45GHz 65V SOT-502B LDMOS 19dB 28V 1.3A
BLF2425M7LS140,118 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 140W 2.45GHz 65V SOT-502B LDMOS 18.5dB 28V 1.3A
BLF2425M7LS140,112 RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI NXP USA Inc. SOT502B 140W 2.45GHz 65V SOT-502B LDMOS 18.5dB 28V 1.3A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100