-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLF7G24LS-100 | RF FET LDMOS 100W SOT502B | Ampleon USA Inc. | SOT502B | 100W | 2.3GHz ~ 2.4GHz | 65V | 5µA | SOT-502B | LDMOS | 18dB | 28V | 900mA |
| BLF4G20LS-110B,112 | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | NXP USA Inc. | SOT502B | 100W | 1.93GHz ~ 1.99GHz | 65V | 12A | SOT-502B | LDMOS | 13.4dB | 28V | 650mA |
| BLF4G20S-110B,112 | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | NXP USA Inc. | SOT502B | 100W | 1.93GHz ~ 1.99GHz | 65V | 12A | SOT-502B | LDMOS | 13.5dB | 28V | 700mA |
- 10
- 15
- 50
- 100