• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLF2043,112 RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 12.5dB 26V 85mA
BLF1822-10,112 RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 13.5dB 26V 85mA
BLA1011-10,112 RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 15dB 36V 50mA
BLF2043F,135 RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 11dB 26V 85mA
BLA1011-10 OXIDE SEMICONDUCTOR FET Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 100µA SOT-467C LDMOS 15dB 36V 50mA
BLF2043,135 RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2GHz 75V 2.2A SOT-467C LDMOS 12.5dB 26V 85mA
BLF2043F,112 RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 10W 2.2GHz 65V 2.2A SOT-467C LDMOS 11dB 26V 85mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100