-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CLF1G0060-10 | CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | 6GHz | 150V | SOT-1227B | GaN HEMT | 16dB | 50V | 50mA |
| TM-10 | TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | SOT-1227B | GaN HEMT | |||||
| CLF1G0060S-10U | RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B | Ampleon USA Inc. | SOT1227B | 10W | 3GHz ~ 3.5GHz | 150V | SOT-1227B | GaN HEMT | 14.5dB | 50V | 50mA |
| CLF1G0060S-10 | RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL | NXP USA Inc. | SOT1227B | 10W | 6GHz | 150V | SOT-1227B | GaN HEMT | 16dB | 50V | 50mA |
- 10
- 15
- 50
- 100