• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
NE3515S02-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3515S02-T1C-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3515S02-T1D-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 CEL S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3515S02-T1D-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Renesas Electronics America Inc S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
NE3515S02-T1C-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Renesas Electronics America Inc S02 14dBm 12GHz 4V 88mA 4-SMD, Flat Leads HFET 12.5dB 0.3dB 2V 10mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100