• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PD85025TR-E TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF STMicroelectronics PowerSO-10RF (Formed Lead) 10W 870MHz 40V 7A PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) LDMOS 17.3dB 13.6V 300mA
PD20010TR-E TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM STMicroelectronics PowerSO-10RF (Formed Lead) 10W 2GHz 40V 5A PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) LDMOS 11dB 13.6V 150mA
PD20010-E TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF STMicroelectronics PowerSO-10RF (Formed Lead) 10W 2GHz 40V 5A PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) LDMOS 11dB 13.6V 150mA
PD85025-E FET RF 40V 870MHZ STMicroelectronics PowerSO-10RF (Formed Lead) 10W 870MHz 40V 7A PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) LDMOS 17.3dB 13.6V 300mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100