• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6VP21KHR5 N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor NI-1230-4H 1000W 235MHz 110V 100µA SOT-979A LDMOS (Dual) 24dB 50V 150mA
MMRF1006HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230-4H 1000W 450MHz 120V SOT-979A LDMOS 20dB 50V 150mA
MMRF1312HR5 TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.03GHz 112V SOT-979A LDMOS (Dual) 19.6dB 50V 100mA
AFV141KHR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.4GHz 105V SOT-979A LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
AFV121KHR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 960MHz ~ 1.22GHz 112V SOT-979A LDMOS (Dual) 19.6dB 50V 100mA
MMRF1314HR5 TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.4GHz 105V SOT-979A LDMOS (Dual) 17.7dB 50V 100mA
MMRF1006HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 450MHz 120V SOT-979A LDMOS 20dB 50V 150mA
MMRF1007HR5 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230-4H 1000W 1.03GHz 110V NI-1230-4H LDMOS (Dual) 20dB 50V 150mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100