• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • FDMQ8403
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: GreenBridge™ PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-MLP (5x4.5)
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMQ86530L
    MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: GreenBridge™ PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-MLP (5x4.5)
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMQ8403
    MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: GreenBridge™ PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-MLP (5x4.5)
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDMQ8203
    MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: GreenBridge™ PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-MLP (5x4.5)
    • Тип канала: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V, 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100