• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
FDMQ8403 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor 12-MLP (5x4.5) 1.9W Surface Mount 12-WDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel (Half Bridge) 100V 3.1A Standard 110mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V 215pF @ 15V GreenBridge™ PowerTrench®
FDMQ86530L MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP onsemi 12-MLP (5x4.5) 1.9W Surface Mount 12-WDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel (Half Bridge) 60V 8A Logic Level Gate 17.5mOhm @ 8A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 2295pF @ 30V GreenBridge™ PowerTrench®
FDMQ8403 MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP onsemi 12-MLP (5x4.5) 1.9W Surface Mount 12-WDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel (Half Bridge) 100V 3.1A Standard 110mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V 215pF @ 15V GreenBridge™ PowerTrench®
FDMQ8203 MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP onsemi 12-MLP (5x4.5) 2.5W Surface Mount 12-WDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A Logic Level Gate 110mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V 210pF @ 50V GreenBridge™ PowerTrench®