- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDZ202P | MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA | onsemi | 12-BGA (2x2.5) | Surface Mount | 12-WFBGA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2W (Ta) | 20V | 5.5A (Ta) | 45mOhm @ 5.5A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 13nC @ 4.5V | 884pF @ 10V | ±12V | PowerTrench® |
| FDZ201N | MOSFET N-CH 20V 9A BGA | onsemi | 12-BGA (2x2.5) | Surface Mount | 12-WFBGA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2W (Ta) | 20V | 9A (Ta) | 18mOhm @ 9A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 1127pF @ 10V | ±12V | PowerTrench® |
| FDZ209N | MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA | onsemi | 12-BGA (2x2.5) | Surface Mount | 12-WFBGA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2W (Ta) | 60V | 4A (Ta) | 80mOhm @ 4A, 5V | 5V | 3V @ 250µA | 9nC @ 5V | 657pF @ 30V | ±20V | PowerTrench® |
| FDZ209N | N-CHANNEL POWER MOSFET | Rochester Electronics, LLC | 12-BGA (2x2.5) | Surface Mount | 12-WFBGA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 2W (Ta) | 60V | 4A (Ta) | 80mOhm @ 4A, 5V | 5V | 3V @ 250µA | 9nC @ 5V | 657pF @ 30V | ±20V | PowerTrench® |
| FDZ202P | P-CHANNEL POWER MOSFET | Rochester Electronics, LLC | 12-BGA (2x2.5) | Surface Mount | 12-WFBGA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 2W (Ta) | 20V | 5.5A (Ta) | 45mOhm @ 5.5A, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 13nC @ 4.5V | 884pF @ 10V | ±12V | PowerTrench® |
- 10
- 15
- 50
- 100