• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
EFC2K102ANUZTDG NCH 12V 33A WLCSP DUAL onsemi 10-WLCSP (2.98x1.49) 3.1W (Ta) Surface Mount 10-SMD, No Lead 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 12V 33A (Ta) Standard 2.75mOhm @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 42nC @ 3.8V
EFC2K102NUZTDG DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, onsemi 10-WLCSP (2.98x1.49) 3.1W (Ta) Surface Mount 10-SMD, No Lead 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 33A (Ta) Logic Level Gate, 2.5V Drive 2.65mOhm @ 5A, 4.5V 1.3V @ 1mA 42nC @ 3.8V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100