- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PD84006-E | FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 6W | 870MHz | 25V | 5A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 15dB | 7.5V | 150mA | ||||||||||||||
PD55008 | FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 8W | 500MHz | 40V | 4A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 17dB | 12.5V | 150mA | ||||||||||||||
PD57018S | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 18W | 945MHz | 65V | 2.5A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 16.5dB | 28V | 100mA | ||||||||||||||
PD57006S | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 6W | 945MHz | 65V | 1A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 15dB | 28V | 70mA | ||||||||||||||
PD55003TR-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 3W | 500MHz | 40V | 2.5A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 17dB | 12.5V | 50mA | ||||||||||||||
STV160NF03LAT4 | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | N-Channel | 210W (Tc) | 30V | 160A (Tc) | 3mOhm @ 80A, 10V | 5V, 10V | 1V @ 250µA | 160nC @ 10V | 5350pF @ 25V | ±15V | STripFET™ | ||||||||
PD57045S | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | 45W | 945MHz | 65V | 5A | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | LDMOS | 14.5dB | 28V | 250mA |
- 10
- 15
- 50
- 100