• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 37
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
PD84006-E FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF STMicroelectronics 10-PowerSO 6W 870MHz 25V 5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 15dB 7.5V 150mA
PD55008 FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT STMicroelectronics 10-PowerSO 8W 500MHz 40V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 150mA
PD57018S FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 18W 945MHz 65V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 16.5dB 28V 100mA
PD57006S FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 6W 945MHz 65V 1A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 15dB 28V 70mA
PD55003TR-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 3W 500MHz 40V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 50mA
STV160NF03LAT4 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) N-Channel 210W (Tc) 30V 160A (Tc) 3mOhm @ 80A, 10V 5V, 10V 1V @ 250µA 160nC @ 10V 5350pF @ 25V ±15V STripFET™
PD57045S FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 45W 945MHz 65V 5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.5dB 28V 250mA