• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 37
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
STV250N55F3 MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 55V 200A (Tc) 2.2mOhm @ 75A, 10V 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V ±20V STripFET™ III
PD57045-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 45W 945MHz 65V 5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.5dB 28V 250mA
PD57030S FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 30W 945MHz 65V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14dB 28V 50mA
STV160NF03LT4 MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) N-Channel 210W (Tc) 30V 160A (Tc) 2.8mOhm @ 80A, 10V 5V, 10V 1V @ 250µA 140nC @ 10V 4700pF @ 25V ±15V STripFET™
STV270N4F3 MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 40V 270A (Tc) 1.5mOhm @ 80A, 10V 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 7500pF @ 25V ±20V STripFET™ III
STV240N75F3 MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 75V 240A (Tc) 2.6mOhm @ 120A, 10V 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V ±20V STripFET™ III
PD85006-E FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF STMicroelectronics 10-PowerSO 6W 870MHz 40V 2A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 13.6V 200mA
STV200N55F3 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 55V 200A (Tc) 2.5mOhm @ 75A, 10V 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 6800pF @ 25V ±20V STripFET™
PD54008-E FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 8W 500MHz 25V 5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 11.5dB 7.5V 150mA
PD57018-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 18W 945MHz 65V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 16.5dB 28V 100mA
PD57070S FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 70W 945MHz 65V 7A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.7dB 28V 250mA
PD55008TR FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 8W 500MHz 40V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 150mA
PD57030-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 30W 945MHz 65V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14dB 28V 50mA
PD55003-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 3W 500MHz 40V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 50mA
STV160NF02LT4 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) N-Channel 210W (Tc) 20V 160A (Tc) 2.5mOhm @ 80A, 10V 5V, 10V 1V @ 250µA 160nC @ 10V 4800pF @ 15V ±15V STripFET™ II
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100