• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 37
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
PD55025-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 25W 500MHz 40V 7A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.5dB 12.5V 200mA
PD55003 FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 3W 500MHz 40V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 50mA
PD54008 FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 8W 500MHz 25V 5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 11.5dB 7.5V 150mA
PD55025 FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 25W 500MHz 40V 7A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.5dB 12.5V 200mA
STV300NH02L MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 24V 200A (Tc) 1mOhm @ 80A, 10V 10V, 5V 2V @ 250µA 109nC @ 10V 7055pF @ 15V ±20V STripFET™ III
STV160NF02LAT4 MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO Surface Mount PowerSO-10 Exposed Bottom Pad MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) N-Channel 210W (Tc) 20V 160A (Tc) 2.7mOhm @ 80A, 10V 5V, 10V 1V @ 250µA 175nC @ 10V 5500pF @ 15V ±15V STripFET™
PD57002-E FET RF 65V 960MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 2W 960MHz 65V 250mA PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 15dB 28V 10mA
PD57018 FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 18W 945MHz 65V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 16.5dB 28V 100mA
PD54003-E FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 3W 500MHz 25V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 12dB 7.5V 50mA
PD57060TR-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 60W 945MHz 65V 7A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.3dB 28V 100mA
PD57002 FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 2W 960MHz 65V 250mA PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 15dB 28V 10mA
PD55003S FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 3W 500MHz 40V 2.5A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 50mA
PD57030 FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 STMicroelectronics 10-PowerSO 30W 945MHz 65V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14dB 28V 50mA
PD55008-E FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 8W 500MHz 40V 4A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 17dB 12.5V 150mA
PD57060-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 STMicroelectronics 10-PowerSO 60W 945MHz 65V 7A PowerSO-10 Exposed Bottom Pad LDMOS 14.3dB 28V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100