- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Серия: TrenchFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 10-PolarPAK® (LH)
- Тип корпуса: 10-PolarPAK® (LH)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100