• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
FET Feature
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Серия
CSD87501L MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR Texas Instruments 10-Picostar (3.37x1.47) 2.5W Surface Mount 10-XFLGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V NexFET™
CSD87501LT MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR Texas Instruments 10-Picostar (3.37x1.47) 2.5W Surface Mount 10-XFLGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 2.3V @ 250µA 40nC @ 10V NexFET™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100