• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLM9D3336-14AMZ BLM9D3336-14AMZ/REEL Ampleon USA Inc. 20-LGA (7x7) 14W 3.3GHz ~ 3.65GHz 65V 1.4µA 20-VLGA Exposed Pad LDMOS 32.4dB 28V 38mA
BLF6G27-100,118 RF FET LDMOS 65V SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 14W 65V 29A SOT-502A LDMOS 28V 900mA
BLF6G27LS-100,112 RF FET LDMOS 65V SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 14W 65V 29A SOT-502A LDMOS 28V 900mA
BLC6G27-100,118 RF FET 28V SOT895A Ampleon USA Inc. SOT-895A 14W 28V SOT-895A
MRF8P26080HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 14W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V 10µA NI-780S-4 LDMOS (Dual) 15dB 28V 300mA
MAGX-000035-01500P FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN MACOM Technology Solutions 14-DFN (3x6) 14W 3.5GHz 65V 1mA 14-VDFN Exposed Pad HEMT 14dB 50V 35mA
MRF5S9070MR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 14W 880MHz 68V TO-270-2 LDMOS 17.8dB 26V 600mA
MRF8P26080HSR5 FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 NXP USA Inc. NI-780S-4L 14W 2.62GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 15dB 28V 300mA
MRF8P26080HR3 FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4 NXP USA Inc. NI-780-4 14W 2.62GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 15dB 28V 300mA
MRF6S21060MBR1 FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 14W 2.12GHz 68V TO-272-4 LDMOS 15.5dB 28V 610mA
MRF6S21060NBR1 FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 14W 2.12GHz 68V TO-272BB LDMOS 15.5dB 28V 610mA
MRF6S9060MBR1 FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 14W 880MHz 68V TO-272-2 LDMOS 21.4dB 28V 450mA
MRF5S9070NR5 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 14W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 17.8dB 26V 600mA
MRF5S9070NR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 14W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 17.8dB 26V 600mA
MRF6S9060NR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 14W 880MHz 68V TO-270AA LDMOS 21.4dB 28V 450mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100