- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BLF2425M8LS140J | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Ampleon USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502B | LDMOS | 19dB | 28V | 1.3A | ||
BLF2425M7LS140,112 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Ampleon USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502B | LDMOS | 18.5dB | 28V | 1.3A | ||
BLF7G24LS-140 | RF FET LDMOS 140W SOT502B | Ampleon USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.3GHz ~ 2.4GHz | 65V | 5µA | SOT-502B | LDMOS | 18.5dB | 28V | 1.3A | |
BLF881,112 | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C | Ampleon USA Inc. | SOT467C | 140W | 860MHz | 104V | SOT-467C | LDMOS | 21dB | 50V | 500mA | ||
BLF2425M8LS140U | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Ampleon USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502B | LDMOS | 19dB | 28V | 1.3A | ||
BLF2425M8L140U | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | Ampleon USA Inc. | SOT502A | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502A | LDMOS | 19dB | 28V | 1.3A | ||
BLF2425M7L140,118 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | Ampleon USA Inc. | SOT502A | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502A | LDMOS | 18.5dB | 28V | 1.3A | ||
MRFE8VP8600HR5 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Freescale Semiconductor | NI-1230 | 140W | 470MHz ~ 860MHz | 115V | 20µA | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 21dB | 50V | 1.4A | |
ARF446G | RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247 | Microsemi Corporation | TO-247 | 140W | 40.68MHz | 900V | 6.5A | TO-247-3 | N-Channel | 15dB | 250V | ||
ARF448BG | RF FET N CH 450V 15A TO247 | Microsemi Corporation | TO-247 | 140W | 40.68MHz | 450V | 15A | TO-247-3 | N-Channel | 15dB | 150V | ||
ARF447G | RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247 | Microsemi Corporation | TO-247 | 140W | 40.68MHz | 900V | 6.5A | TO-247-3 | N-Channel | 15dB | 250V | ||
BLF2425M7LS140,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI | NXP USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502B | LDMOS | 18.5dB | 28V | 1.3A | ||
MRFE8VP8600HSR5 | BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 140W | 860MHz | 115V | 20µA | NI-1230-4S | LDMOS | 21dB | 50V | 1.4A | |
BLF2425M8LS140112 | NOW AMPLEON, BLF2425M8LS140, POW | NXP USA Inc. | 140W | 2.45GHz | 65V | LDMOS | 19dB | 28V | 1.3A | ||||
PTFA211801E-V5-R250 | FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 | Wolfspeed, Inc. | H-36260-2 | 140W | 2.14GHz | 65V | H-36260-2 | LDMOS | 15.5dB | 28V | 1.2A |
- 10
- 15
- 50
- 100