• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 24
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
MAGX-001214-125L00 TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ MACOM Technology Solutions 125W 1.2GHz ~ 1.4GHz 65V 4.8A HEMT 18.4dB 50V 100mA
ARF440 PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD Microsemi Corporation TO-247AD 125W 13.56MHz 150V 11A TO-247-3 N-Channel 21dB 50V 200mA
ARF441 PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD Microsemi Corporation 125W 13.56MHz 150V 11A N-Channel 21dB 50V 200mA
MRF7S18125AHSR3 FET RF 65V 1.88GHZ NI780S NXP USA Inc. NI-780S 125W 1.88GHz 65V NI-780S LDMOS 17dB 28V 1.1A
MRFE6VP8600HSR6 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S NXP USA Inc. NI-1230S 125W 860MHz 130V NI-1230S LDMOS (Dual) 19.3dB 50V 1.4A
MRF7S18125AHSR5 FET RF 65V 1.88GHZ NI780S NXP USA Inc. NI-780S 125W 1.88GHz 65V NI-780S LDMOS 17dB 28V 1.1A
MRFE6VP8600HR6 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H NXP USA Inc. NI-1230 125W 860MHz 130V NI-1230 LDMOS (Dual) 19.3dB 50V 1.4A
MRF7S18125BHSR3 FET RF 65V 1.93GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780S 125W 1.93GHz 65V NI-780S LDMOS 16.5dB 28V 1.1A
MRFE6VP8600HSR5 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S NXP USA Inc. NI-1230S 125W 860MHz 130V NI-1230S LDMOS (Dual) 19.3dB 50V 1.4A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100