• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 10
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
MHT1008NT1515 RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO Freescale Semiconductor PLD-1.5W 12.5W 2.45GHz 65V 10µA PLD-1.5W LDMOS 20.9dB 28V 110mA
MHT1108NT1 RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO NXP USA Inc. 16-DFN (4x6) 12.5W 2.45GHz 65V 10µA 16-VDFN Exposed Pad LDMOS 18.6dB 32V 110mA
MHT1008NT1 RF MOSFET LDMOS PLD1.5W NXP USA Inc. PLD-1.5W 12.5W 2.4GHz ~ 2.5GHz 28V PLD-1.5W LDMOS 18.6dB
TA9210D PA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V Tagore Technology 12.5W 30MHz ~ 4GHz 120V 700mA GaN HEMT 18dB 32V 50mA
CGH55015F2 RF MOSFET HEMT 28V 440166 Wolfspeed, Inc. 440166 12.5W 5.65GHz 84V 440166 HEMT 12dB 28V 200mA GaN
CGH40010F RF MOSFET HEMT 28V 440166 Wolfspeed, Inc. 440166 12.5W 0Hz ~ 6GHz 84V 3.5A 440166 HEMT 14.5dB 28V 200mA GaN
CGH40010P RF MOSFET HEMT 28V 440196 Wolfspeed, Inc. 440196 12.5W 0Hz ~ 6GHz 28V 440196 HEMT 14.5dB 28V 200mA GaN