- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PTFA190451FV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 11W | 1.96GHz | 65V | 10µA | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 17.5dB | 28V | 450mA |
PTFA190451EV4XWSA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 11W | 1.96GHz | 65V | 10µA | H-36265-2 | LDMOS | 17.5dB | 28V | 450mA |
PTFA190451FV4XWSA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 11W | 1.96GHz | 65V | 10µA | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | LDMOS | 17.5dB | 28V | 450mA |
PTFA190451EV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 11W | 1.96GHz | 65V | 10µA | H-36265-2 | LDMOS | 17.5dB | 28V | 450mA |
- 10
- 15
- 50
- 100