- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLS9G3135L-115U | BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY | Ampleon USA Inc. | CDFM2 | 115W | 3.1GHz ~ 3.5GHz | 28V | SOT-1135A | LDMOS | 11dB | 50V | 600mA | |
| BLS9G3135LS-115U | BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY | Ampleon USA Inc. | CDFM2 | 115W | 3.1GHz ~ 3.5GHz | 28V | SOT-1135B | LDMOS | 11dB | 50V | 600mA | |
| MRF101AN | RF TRANSISTOR 100W TO-220 | NXP USA Inc. | TO-220-3 | 115W | 1.8MHz ~ 250MHz | 133V | 10µA | TO-220-3 | LDMOS | 21.1dB | 50V | 100mA |
| MRF101AN-START | MRF101AN RF ESSENTIALS COMPONENT | NXP USA Inc. | TO-220-3 | 115W | 1.8MHz ~ 250MHz | 133V | 10µA | TO-220-3 | LDMOS | 21.1dB | 50V | 100mA |
| MRF101BN | RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 | NXP USA Inc. | TO-220-3 | 115W | 1.8MHz ~ 250MHz | 133V | 10µA | TO-220-3 | LDMOS | 21.1dB | 50V | 100mA |
- 10
- 15
- 50
- 100